ไดรฟ์ Intel® Solid State DC ซีรี่ส์ P3700

ไดรฟ์ Intel® Solid State DC ซีรี่ส์ P3700

2.0TB, 2.5 นิ้ว PCIe 3.0, 20nm, MLC

ข้อมูลจำเพาะ

ข้อมูลเสริม

ข้อมูลจำเพาะของแพ็คเกจ

ผลิตภัณฑ์ที่เข้ากันได้

ระบบเซิร์ฟเวอร์ Intel® ตระกูล R2000WT

ชื่อผลิตภัณฑ์ วันที่วางจำหน่าย สถานะ ฟอร์มแฟกเตอร์ของบอร์ด ฟอร์มแฟกเตอร์ของแชสซี ซ็อกเก็ต SortOrder เปรียบเทียบ
ทั้งหมด | ไม่มี
ระบบเซิร์ฟเวอร์ Intel® R2208WTTYSR Q1'16 Launched Custom 16.7" x 17" 2U, Spread Core Rack Socket R3
ระบบเซิร์ฟเวอร์ Intel® R2208WT2YSR Q1'16 Launched Custom 16.7" x 17" 2U, Spread Core Rack Socket R3
ระบบเซิร์ฟเวอร์ Intel® R2208WTTYC1R Q1'16 Launched Custom 16.7" x 17" 2U, Spread Core Rack Socket R3
ระบบเซิร์ฟเวอร์ Intel® R2224WTTYSR Q1'16 Launched Custom 16.7" x 17" 2U, Spread Core Rack Socket R3

บอร์ดเซิร์ฟเวอร์ Intel® ตระกูล S2600CW

ชื่อผลิตภัณฑ์ สถานะ ฟอร์มแฟกเตอร์ของบอร์ด ฟอร์มแฟกเตอร์ของแชสซี ซ็อกเก็ต ตัวเลือกเอ็มเบ็ดเด็ดที่มี TDP SortOrder เปรียบเทียบ
ทั้งหมด | ไม่มี
บอร์ดเซิร์ฟเวอร์ Intel® S2600CW2R Launched SSI EEB 12" x 13" Rack or Pedestal Socket R3 ไม่ใช่ 145 W
บอร์ดเซิร์ฟเวอร์ Intel® S2600CW2SR Launched SSI EEB 12" x 13" Rack or Pedestal Socket R3 ไม่ใช่ 145 W
บอร์ดเซิร์ฟเวอร์ Intel® S2600CWTR Launched SSI EEB 12" x 13" Rack or Pedestal Socket R3 ไม่ใช่ 145 W
บอร์ดเซิร์ฟเวอร์ Intel® S2600CWTSR Launched SSI EEB 12" x 13" Rack or Pedestal Socket R3 ไม่ใช่ 145 W

บอร์ดเซิร์ฟเวอร์ Intel® ตระกูล S2600WT

ชื่อผลิตภัณฑ์ สถานะ ฟอร์มแฟกเตอร์ของบอร์ด ฟอร์มแฟกเตอร์ของแชสซี ซ็อกเก็ต ตัวเลือกเอ็มเบ็ดเด็ดที่มี TDP SortOrder เปรียบเทียบ
ทั้งหมด | ไม่มี
บอร์ดเซิร์ฟเวอร์ Intel® S2600WTTR Launched Custom 16.7" x 17" Rack Socket R3 ไม่ใช่ 145 W
บอร์ดเซิร์ฟเวอร์ Intel® S2600WT2R Launched Custom 16.7" x 17" Rack Socket R3 ไม่ใช่ 145 W
บอร์ดเซิร์ฟเวอร์ Intel® S2600WTTS1R Launched Custom 16.7" x 17" Rack Socket R3 ไม่ใช่ 145 W

Intel® Compute Module ตระกูล HNS2600TP

ชื่อผลิตภัณฑ์ สถานะ ฟอร์มแฟกเตอร์ของบอร์ด ฟอร์มแฟกเตอร์ของแชสซี ซ็อกเก็ต ตัวเลือกเอ็มเบ็ดเด็ดที่มี TDP SortOrder เปรียบเทียบ
ทั้งหมด | ไม่มี
Intel® Compute Module HNS2600TP24R Launched Custom 6.8" x 18.9" Rack Socket R3 ไม่ใช่ 145 W
Intel® Compute Module HNS2600TP24SR Launched Custom 6.8" x 18.9" Rack Socket R3 ไม่ใช่ 145 W
Intel® Compute Module HNS2600TP24STR Discontinued Custom 6.8" x 18.9" Rack Socket R3 ใช่ 145 W

ดาวน์โหลดและซอฟต์แวร์

วันที่วางจำหน่าย

วันที่เปิดตัวผลิตภัณฑ์ครั้งแรก

การอ่านแบบลำดับ (สูงสุด)

ความเร็วที่อุปกรณ์สามารถเรียกข้อมูลที่ประกอบเป็นบล็อกที่เป็นระเบียบและต่อเนื่อง วัดเป็น MB/s (เมกะไบต์ต่อวินาที)

การเขียนแบบลำดับ (สูงสุด)

ความเร็วที่อุปกรณ์สามารถเขียนข้อมูลไปที่บล็อกข้อมูลที่เป็นระเบียบและต่อเนื่อง วัดเป็น MB/s (เมกะไบต์ต่อวินาที)

การอ่านแบบสุ่ม (ช่วง 100%)

ความเร็วที่ไดร์ฟ Solid State สามารถเรียกข้อมูลจากตำแหน่งใดๆ ในหน่วยความจำของเนื้อที่ทั้งหมดในไดร์ฟ วัดเป็น IOPS (Input/Output Operations Per Second)

การเขียนแบบสุ่ม (ช่วง 100%)

ความเร็วที่ไดร์ฟ Solid State สามารถเขียนข้อมูลไปที่ตำแหน่งใดๆ ในหน่วยความจำของเนื้อที่ทั้งหมดในไดร์ฟ วัดเป็น IOPS (Input/Output Operations Per Second)

ความหน่วงแฝง - อ่าน

ความหน่วงแฝงการอ่าน บ่งชี้ถึงระยะเวลาที่ใช้ในการปฏิบัติการงานเรียกข้อมูล วัดเป็นไมโครวินาที

ความหน่วงแฝง - เขียน

ความหน่วงแฝงการเขียน บ่งชี้ถึงระยะเวลาที่ใช้ในการปฏิบัติการงานบันทึกข้อมูล วัดเป็นไมโครวินาที

พลังงานไฟฟ้า - ทำงาน

Active Power บ่งบอกถึงการใช้พลังงานโดยทั่วไปของอุปกรณ์เมื่อทำงาน

พลังงานไฟฟ้า - ไม่ทำงาน

Idle Power บ่งบอกถึงการใช้พลังงานโดยทั่วไปของอุปกรณ์เมื่อไม่ได้ใช้งาน

การสั่นสะเทือน - ขณะทำงาน

Operating Vibration บ่งชี้ถึงประสิทธิภาพของไดร์ฟ Solid State ที่ได้รับการทดสอบในการทนต่อการสั่นสะเทือนที่รายงานในสถานะที่กำลังทำงาน และยังคงสามารถทำงานอยู่ได้ วัดเป็นแรง G RMS (Root Mean Square)

การสั่นสะเทือน - ขณะไม่ทำงาน

Non-Operating Vibration บ่งชี้ถึงประสิทธิภาพของไดร์ฟ Solid State ที่ได้รับการทดสอบในการทนต่อการสั่นสะเทือนที่รายงานในสถานะที่ไม่ได้ทำงาน และยังคงสามารถทำงานอยู่ได้ วัดเป็นแรง G RMS (Root Mean Square)

การกระแทก (ขณะทำงานและขณะไม่ทำงาน)

การกระแทกบ่งบอกถึงประสิทธิภาพของไดร์ฟ Solid State ที่ได้รับการทดสอบในการทนต่อการกระแทกที่รายงานทั้งในสถานะที่กำลังทำงานและไม่ได้ทำงาน และยังคงสามารถทำงานอยู่ได้ วัดเป็นแรง G (สูงสุด)

ระดับความทนทาน (การเขียนตลอดอายุการใช้งาน)

ระดับความทนทานบ่งบอกถึงรอบการบันทึกข้อมูลที่คาดหวังตลอดอายุการใช้งานของอุปกรณ์

เวลาเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว (MTBF)

MTBF (เวลาเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว) บ่งชี้ถึงระยะเวลาการปฏิบัติการที่คาดว่าจะใช้ระหว่างความล้มเหลว วัดเป็นชั่วโมง

อัตราความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ (UBER)

อัตราความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ (UBER) บ่งชี้ถึงจำนวนความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ หารด้วยจำนวนบิตที่ถ่ายโอนทั้งหมดระหว่างช่วงเวลาการทดสอบ

Form Factor

ฟอร์มแฟคเตอร์บ่งบอกถึงขนาดและรูปร่างของอุปกรณ์ตามมาตรฐานอุตสาหกรรม

อินเตอร์เฟซ

อินเตอร์เฟสบ่งบอกถึงมาตรฐานอุตสาหกรรมของวิธีของบัสการสื่อสารที่ใช้โดยอุปกรณ์

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง จะมีการเตรียม SSD ไว้สำหรับการสูญเสียพลังงานของระบบที่คาดไม่ถึง โดยลดการถ่ายโอนข้อมูลในบัฟเฟอร์ชั่วคราว และใช้การประจุไฟฟ้าป้องกันการสูญเสียพลังงานที่อยู่บนบอร์ด เพื่อจ่ายพลังงานอย่างเพียงพอให้กับเฟิร์มแวร์ SSD เพื่อย้ายข้อมูลจากบัฟเฟอร์การถ่ายโอนและบัฟเฟอร์ชั่วคราวอื่นๆ ไปที่ NAND อันเป็นการปกป้องระบบและข้อมูลผู้ใช้

High Endurance Technology (HET)

High Endurance Technology (HET) ในไดร์ฟ Solid State รวมการปรับปรุงซิลิคอนของหน่วยความจำแฟลช Intel® NAND และเทคนิคการบริหารจัดการระบบไดร์ฟ Solid State เพื่อช่วยยืดความทนทานของไดร์ฟ Solid State ความทนทาน ได้รับการนิยามไว้ว่าเป็นปริมาณข้อมูลที่สามารถเขียนลงบนไดร์ฟ Solid State ได้ตลอดอายุการใช้งาน

การตรวจสอบและการบันทึกอุณหภูมิ

การตรวจติดตามและการบันทึกอุณหภูมิ ใช้เซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิภายในเพื่อตรวจติดตามและบันทึกการไหลของอากาศและอุณหภูมิภายในของอุปกรณ์ โดยสามารถเข้าถึงผลที่บันทึกได้ด้วยคำสั่ง SMART

การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End)

การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End) ทำให้แน่ใจถึงความสมบูรณ์ของข้อมูลที่จัดเก็บในการถ่ายโอนจากคอมพิวเตอร์ถึงไดร์ฟ Solid State และกลับมาอีกครั้ง