ไดร์ฟ Intel® Solid State ซีรี่ส์ 910

800GB, 1/2 ความสูง PCIe 2.0, 25nm, MLC

ข้อมูลจำเพาะ

ความน่าเชื่อถือ

ข้อมูลจำเพาะของแพ็คเกจ

ข้อมูลการสั่งซื้อและการปฏิบัติตามกฎระเบียบ

ถูกปลดและยกเลิกไปแล้ว

Intel® SSD 910 Series (800GB, 1/2 Height PCIe 2.0, 25nm, MLC) DDC, Generic Single Pack

  • รหัสการสั่งซื้อ SSDPEDPX800G301

ข้อมูลความสอดคล้องตามข้อบังคับการค้า

  • ECCN 5A002U*
  • CCATS G069333
  • US HTS 8523510000

ข้อมูล PCN/MDDS

ดาวน์โหลดและซอฟต์แวร์

วันที่วางจำหน่าย

วันที่เปิดตัวผลิตภัณฑ์ครั้งแรก

การอ่านแบบลำดับ (สูงสุด)

ความเร็วที่อุปกรณ์สามารถเรียกข้อมูลที่ประกอบเป็นบล็อกที่เป็นระเบียบและต่อเนื่อง วัดเป็น MB/s (เมกะไบต์ต่อวินาที)

การเขียนแบบลำดับ (สูงสุด)

ความเร็วที่อุปกรณ์สามารถเขียนข้อมูลไปที่บล็อกข้อมูลที่เป็นระเบียบและต่อเนื่อง วัดเป็น MB/s (เมกะไบต์ต่อวินาที)

การอ่านแบบสุ่ม (ช่วง 100%)

ความเร็วที่ไดร์ฟ Solid State สามารถเรียกข้อมูลจากตำแหน่งใดๆ ในหน่วยความจำของเนื้อที่ทั้งหมดในไดร์ฟ วัดเป็น IOPS (Input/Output Operations Per Second)

การเขียนแบบสุ่ม (ช่วง 100%)

ความเร็วที่ไดร์ฟ Solid State สามารถเขียนข้อมูลไปที่ตำแหน่งใดๆ ในหน่วยความจำของเนื้อที่ทั้งหมดในไดร์ฟ วัดเป็น IOPS (Input/Output Operations Per Second)

ความหน่วงแฝง - อ่าน

ความหน่วงแฝงการอ่าน บ่งชี้ถึงระยะเวลาที่ใช้ในการปฏิบัติการงานเรียกข้อมูล วัดเป็นไมโครวินาที

ความหน่วงแฝง - เขียน

ความหน่วงแฝงการเขียน บ่งชี้ถึงระยะเวลาที่ใช้ในการปฏิบัติการงานบันทึกข้อมูล วัดเป็นไมโครวินาที

พลังงานไฟฟ้า - ทำงาน

Active Power บ่งบอกถึงการใช้พลังงานโดยทั่วไปของอุปกรณ์เมื่อทำงาน

พลังงานไฟฟ้า - ไม่ทำงาน

Idle Power บ่งบอกถึงการใช้พลังงานโดยทั่วไปของอุปกรณ์เมื่อไม่ได้ใช้งาน

ระดับความทนทาน (การเขียนตลอดอายุการใช้งาน)

ระดับความทนทานบ่งบอกถึงรอบการบันทึกข้อมูลที่คาดหวังตลอดอายุการใช้งานของอุปกรณ์

Form Factor

ฟอร์มแฟคเตอร์บ่งบอกถึงขนาดและรูปร่างของอุปกรณ์ตามมาตรฐานอุตสาหกรรม

อินเตอร์เฟซ

อินเตอร์เฟสบ่งบอกถึงมาตรฐานอุตสาหกรรมของวิธีของบัสการสื่อสารที่ใช้โดยอุปกรณ์

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง จะมีการเตรียม SSD ไว้สำหรับการสูญเสียพลังงานของระบบที่คาดไม่ถึง โดยลดการถ่ายโอนข้อมูลในบัฟเฟอร์ชั่วคราว และใช้การประจุไฟฟ้าป้องกันการสูญเสียพลังงานที่อยู่บนบอร์ด เพื่อจ่ายพลังงานอย่างเพียงพอให้กับเฟิร์มแวร์ SSD เพื่อย้ายข้อมูลจากบัฟเฟอร์การถ่ายโอนและบัฟเฟอร์ชั่วคราวอื่นๆ ไปที่ NAND อันเป็นการปกป้องระบบและข้อมูลผู้ใช้

High Endurance Technology (HET)

High Endurance Technology (HET) ในไดร์ฟ Solid State รวมการปรับปรุงซิลิคอนของหน่วยความจำแฟลช Intel® NAND และเทคนิคการบริหารจัดการระบบไดร์ฟ Solid State เพื่อช่วยยืดความทนทานของไดร์ฟ Solid State ความทนทาน ได้รับการนิยามไว้ว่าเป็นปริมาณข้อมูลที่สามารถเขียนลงบนไดร์ฟ Solid State ได้ตลอดอายุการใช้งาน

การตรวจสอบและการบันทึกอุณหภูมิ

การตรวจติดตามและการบันทึกอุณหภูมิ ใช้เซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิภายในเพื่อตรวจติดตามและบันทึกการไหลของอากาศและอุณหภูมิภายในของอุปกรณ์ โดยสามารถเข้าถึงผลที่บันทึกได้ด้วยคำสั่ง SMART

การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End)

การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End) ทำให้แน่ใจถึงความสมบูรณ์ของข้อมูลที่จัดเก็บในการถ่ายโอนจากคอมพิวเตอร์ถึงไดร์ฟ Solid State และกลับมาอีกครั้ง