หน่วยความจำ Intel® Optane™ Memory H10 พร้อมอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล Solid State

หน่วยความจำ Intel® Optane™ 32GB + Intel® QLC 3D NAND SSD 512GB, M.2 80mm PCIe 3.0

ข้อมูลจำเพาะ

ข้อมูลเสริม

  • ข้อมูลสรุปผลิตภัณฑ์ ดูตอนนี้
  • URL ข้อมูลเพิ่มเติม ดูตอนนี้
  • รายละเอียด Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

ข้อมูลจำเพาะของแพ็คเกจ

ข้อมูลการสั่งซื้อและการปฏิบัติตามกฎระเบียบ

ถูกปลดและยกเลิกไปแล้ว

Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage (32GB + 512GB, M.2 80mm PCIe 3.0, 3D XPoint™, QLC) Generic Single Pack

  • MM# 999MJF
  • รหัสการสั่งซื้อ HBRPEKNX0202A08
  • MDDS Content ID 707030

ข้อมูลความสอดคล้องตามข้อบังคับการค้า

  • ECCN 5A992C
  • CCATS G158570
  • US HTS 8471706000

ข้อมูล PCN

ไดรเวอร์และซอฟต์แวร์

ไดรเวอร์และซอฟต์แวร์ล่าสุด

พร้อมให้ดาวน์โหลด:
ทั้งหมด

ชื่อ

Intel® Memory and Storage Tool (GUI)

Intel® Memory and Storage Tool CLI (อินเทอร์เฟซบรรทัดคําสั่ง)

ซอฟต์แวร์การติดตั้งไดรเวอร์เทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลสำหรับ Intel® Rapid พร้อมหน่วยความจํา Intel® Optane™ (แพลตฟอร์มเจนเนอเรชั่น 11 ถึง 13)

ซอฟต์แวร์การติดตั้งไดรเวอร์เทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลสำหรับ Intel® Rapid พร้อมหน่วยความจํา Intel® Optane™ (แพลตฟอร์มเจนเนอเรชั่น 8 และ 9)

Intel® SSD Firmware Update Tool

การสนับสนุน

วันที่วางจำหน่าย

วันที่เปิดตัวผลิตภัณฑ์ครั้งแรก

สภาวะการใช้งาน

สภาวะการใช้งานคือสภาพแวดล้อมและสภาวะการทำงานจากบริบทการใช้งานของระบบ
สำหรับข้อมูลสภาวะการใช้งานที่เฉพาะเจาะจงของ SKU โปรดดู รายงาน PRQ
สำหรับข้อมูลสภาวะการใช้งานปัจจุบัน โปรดดูที่ Intel UC (ไซต์ CNDA)*

การอ่านแบบลำดับ (สูงสุด)

ความเร็วที่อุปกรณ์สามารถเรียกข้อมูลที่ประกอบเป็นบล็อกที่เป็นระเบียบและต่อเนื่อง วัดเป็น MB/s (เมกะไบต์ต่อวินาที)

การเขียนแบบลำดับ (สูงสุด)

ความเร็วที่อุปกรณ์สามารถเขียนข้อมูลไปที่บล็อกข้อมูลที่เป็นระเบียบและต่อเนื่อง วัดเป็น MB/s (เมกะไบต์ต่อวินาที)

การอ่านแบบสุ่ม (ช่วง 8GB) (สูงสุด)

ความเร็วที่ไดร์ฟ Solid State สามารถเรียกข้อมูลจากตำแหน่งใดๆ ในหน่วยความจำภายในช่วง 8GB ของ LBA (Logical Block Address) ของไดร์ฟ วัดเป็น IOPS (Input/Output Operations Per Second)

การเขียนแบบสุ่ม (ช่วง 8GB) (สูงสุด)

ความเร็วที่ไดร์ฟ Solid State สามารถเขียนข้อมูลไปที่ตำแหน่งใดๆ ในหน่วยความจำภายในช่วง 8GB ของ LBA (Logical Block Address) ของไดร์ฟ วัดเป็น IOPS (Input/Output Operations Per Second)

พลังงานไฟฟ้า - ทำงาน

Active Power บ่งบอกถึงการใช้พลังงานโดยทั่วไปของอุปกรณ์เมื่อทำงาน

พลังงานไฟฟ้า - ไม่ทำงาน

Idle Power บ่งบอกถึงการใช้พลังงานโดยทั่วไปของอุปกรณ์เมื่อไม่ได้ใช้งาน

การสั่นสะเทือน - ขณะทำงาน

Operating Vibration บ่งชี้ถึงประสิทธิภาพของไดร์ฟ Solid State ที่ได้รับการทดสอบในการทนต่อการสั่นสะเทือนที่รายงานในสถานะที่กำลังทำงาน และยังคงสามารถทำงานอยู่ได้ วัดเป็นแรง G RMS (Root Mean Square)

การสั่นสะเทือน - ขณะไม่ทำงาน

Non-Operating Vibration บ่งชี้ถึงประสิทธิภาพของไดร์ฟ Solid State ที่ได้รับการทดสอบในการทนต่อการสั่นสะเทือนที่รายงานในสถานะที่ไม่ได้ทำงาน และยังคงสามารถทำงานอยู่ได้ วัดเป็นแรง G RMS (Root Mean Square)

การกระแทก (ขณะทำงานและขณะไม่ทำงาน)

การกระแทกบ่งบอกถึงประสิทธิภาพของไดร์ฟ Solid State ที่ได้รับการทดสอบในการทนต่อการกระแทกที่รายงานทั้งในสถานะที่กำลังทำงานและไม่ได้ทำงาน และยังคงสามารถทำงานอยู่ได้ วัดเป็นแรง G (สูงสุด)

อุณหภูมิการทํางานสูงสุด

นี่เป็นอุณหภูมิการทํางานสูงสุดที่อนุญาตตามที่รายงานโดยเซ็นเซอร์อุณหภูมิ อุณหภูมิฉับตัวอย่างอาจเกินค่านี้เป็นระยะเวลาสั้นๆ หมายเหตุ: อุณหภูมิสูงสุดที่สังเกตได้สามารถกําหนดค่าได้โดยผู้จัดจําหน่ายระบบ และสามารถออกแบบเฉพาะได้

ระดับความทนทาน (การเขียนตลอดอายุการใช้งาน)

ระดับความทนทานบ่งบอกถึงรอบการบันทึกข้อมูลที่คาดหวังตลอดอายุการใช้งานของอุปกรณ์

เวลาเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว (MTBF)

MTBF (เวลาเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว) บ่งชี้ถึงระยะเวลาการปฏิบัติการที่คาดว่าจะใช้ระหว่างความล้มเหลว วัดเป็นชั่วโมง

อัตราความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ (UBER)

อัตราความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ (UBER) บ่งชี้ถึงจำนวนความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ หารด้วยจำนวนบิตที่ถ่ายโอนทั้งหมดระหว่างช่วงเวลาการทดสอบ

ระยะเวลารับประกัน

ดูเอกสารการรับประกันสำหรับผลิตภัณฑ์นี้ได้ที่ https://supporttickets.intel.com/warrantyinfo

Form Factor

ฟอร์มแฟคเตอร์บ่งบอกถึงขนาดและรูปร่างของอุปกรณ์ตามมาตรฐานอุตสาหกรรม

อินเตอร์เฟซ

อินเตอร์เฟสบ่งบอกถึงมาตรฐานอุตสาหกรรมของวิธีของบัสการสื่อสารที่ใช้โดยอุปกรณ์

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง จะมีการเตรียม SSD ไว้สำหรับการสูญเสียพลังงานของระบบที่คาดไม่ถึง โดยลดการถ่ายโอนข้อมูลในบัฟเฟอร์ชั่วคราว และใช้การประจุไฟฟ้าป้องกันการสูญเสียพลังงานที่อยู่บนบอร์ด เพื่อจ่ายพลังงานอย่างเพียงพอให้กับเฟิร์มแวร์ SSD เพื่อย้ายข้อมูลจากบัฟเฟอร์การถ่ายโอนและบัฟเฟอร์ชั่วคราวอื่นๆ ไปที่ NAND อันเป็นการปกป้องระบบและข้อมูลผู้ใช้

การตรวจสอบและการบันทึกอุณหภูมิ

การตรวจติดตามและการบันทึกอุณหภูมิ ใช้เซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิภายในเพื่อตรวจติดตามและบันทึกการไหลของอากาศและอุณหภูมิภายในของอุปกรณ์ โดยสามารถเข้าถึงผลที่บันทึกได้ด้วยคำสั่ง SMART

การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End)

การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End) ทำให้แน่ใจถึงความสมบูรณ์ของข้อมูลที่จัดเก็บในการถ่ายโอนจากคอมพิวเตอร์ถึงไดร์ฟ Solid State และกลับมาอีกครั้ง

Intel® Rapid Storage Technology

Intel® Rapid Start Technology ทำให้ระบบสามารถกลับมาทำงานอีกครั้งได้อย่างรวดเร็วหลังจากสถานะไฮเบอร์เนต