SSD Intel® DC serie P3600

400 GB, 2,5", PCIe 3.0, 20 nm, MLC

Especificaciones

Fiabilidad

Información adicional

Especificaciones del paquete

Pedido y cumplimiento

Pedido e información sobre las especificaciones

Intel® SSD DC P3600 Series (400GB, 2.5in PCIe 3.0 x4, 20nm, MLC) Generic Single Pack

  • Código de pedido SSDPE2ME400G401

Información sobre el cumplimiento de normativas

  • ECCN 5A992C
  • CCATS G149950
  • US HTS 8523510000

Información sobre PCN/MDDS

Productos compatibles

Familia de sistemas Intel® R2000WT para servidores

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Todo | Ninguno
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Descargas y software

Fecha de lanzamiento

La fecha en que se presentó inicialmente el producto.

Lectura secuencial (máximo)

Velocidad en la que el dispositivo puede recuperar datos que forman un bloque de datos contiguo y ordenado. Medido en MB/s (MegaBytes por segundo)

Escritura secuencial (máximo)

Velocidad en la que el dispositivo puede registrar datos en un bloque de datos contiguo y ordenado. Medido en MB/s (MegaBytes por segundo)

Lectura aleatoria (alcance 100%)

Velocidad en la que la unidad de estado sólido puede recuperar datos desde ubicaciones arbitrarias en la memoria, en toda la extensión de la unidad. Medido en IOPS (Input/Output Operations Per Second) - (Operaciones de Entrada/Salida por segundo)

Escritura aleatoria (alcance 100%)

Velocidad en la que la unidad de estado sólido puede registrar datos en ubicaciones arbitrarias en la memoria, en toda la extensión de la unidad. Medido en IOPS (Input/Output Operations Per Second) - (Operaciones de Entrada/Salida por segundo)

Latencia - Lectura

Latencia de Lectura indica el tiempo transcurrido para ejecutar una tarea de recuperación de datos. Medido en microsegundos.

Latencia - Escritura

Latencia de Escritura indica el tiempo transcurrido para ejecutar una tarea de registro de datos. Medido en microsegundos.

Alimentación - Activa

La potencia activa indica el consumo de energía típico del dispositivo mientras está operativo.

Alimentación - Inactiva

La potencia en espera indica el consumo de energía típico del dispositivo mientras está en espera.

Vibración - En funcionamiento

Vibración de unidad de estado sólido indica la capacidad probada de SSD para soportar la vibración registrada en el estado operativo y permanecer funcional. Medido en RMS (Root Mean Square) de fuerza G

Vibración - No en funcionamiento

Vibración no operativa indica la capacidad probada de SSD para soportar la vibración registrada en el estado no operativo y permanecer funcional. Medido en RMS (Root Mean Square) de fuerza G

Choque (en funcionamiento o no en funcionamiento)

Choque indica la capacidad probada de la unidad de estado sólido para soportar la energía informada tanto en los estados operativos como en espera, permaneciendo funcional. Medido en fuerza G (Máx.)

Clasificación de resistencia (nº de escrituras durante la vida útil)

La clasificación de la resistencia indica los ciclos de almacenamiento esperados durante el ciclo de vida del dispositivo.

Tiempo promedio entre fallos (MTBF)

MTBF (Mean Time Between Failures) indica el tiempo operativo esperado entre fallas. Medido en horas.

Tasa de errores de bit incorregibles (UBER)

Tasa de error de bit no corregible (UBER) indica el número de errores de bits no corregibles, divididos por el número total de bits transferidos durante un intervalo de tiempo probado.

Formato

El factor de forma indica el tamaño y forma estándar de la industria para el dispositivo.

Interfaz

La interfaz indica el método de comunicación del bus estándar que utiliza el dispositivo.

Mejoras en la protección contra pérdida de datos y el consumo de energía

La Protección de datos mejorada por pérdida de energía prepara la unidad de estado sólido para la pérdida de energía inesperada del sistema reduciendo los datos en transición en búfer temporales, y utiliza la capacidad de protección de pérdida de energía integrada para ofrecer suficiente energía para el firmware SSD para mover datos desde el búfer de transferencia y otros búfer temporales en la NAND, y de esa forma proteger los datos de sistema y del usuario.

High Endurance Technology (HET)

La Tecnología de alta resistencia (HET) en unidades de estado sólido combina las mejoras de silicio de memoria flash NAND Intel® y las técnicas de administración de sistema para ayudar a ampliar la resistencia de una unidad de estado sólido. Resistencia se define como la cantidad de datos que se puede copiar en una unidad de estado sólido durante su vida útil.

Supervisión y registro de temperatura

El monitoreo y registro de temperatura usa un sensor de temperatura interna para controlar y registrar el flujo de aire y la temperatura interna del dispositivo. Puede acceder a los resultados registrados con el comando SMART.

Protección de datos de extremo a extremo

La protección de datos de extremo a extremo garantiza la integridad de los datos almacenados en su traslado desde la computadora a la unidad de estado sólido y en su regreso.