SSD Intel® serie 910

800 GB, PCIe de media altura 2.0, 25 nm, MLC

Especificaciones

Pedido y cumplimiento

Retirado y descatalogado

Intel® SSD 910 Series (800GB, 1/2 Height PCIe 2.0, 25nm, MLC) DDC, Generic Single Pack

  • Código de pedido SSDPEDPX800G301

Información sobre el cumplimiento de normativas

  • ECCN 5A002U*
  • CCATS G069333
  • US HTS 8523510000

Información sobre PCN/MDDS

Descargas y software

Fecha de lanzamiento

La fecha en que se presentó inicialmente el producto.

Lectura secuencial (máximo)

Velocidad en la que el dispositivo puede recuperar datos que forman un bloque de datos contiguo y ordenado. Medido en MB/s (MegaBytes por segundo)

Escritura secuencial (máximo)

Velocidad en la que el dispositivo puede registrar datos en un bloque de datos contiguo y ordenado. Medido en MB/s (MegaBytes por segundo)

Lectura aleatoria (alcance 100%)

Velocidad en la que la unidad de estado sólido puede recuperar datos desde ubicaciones arbitrarias en la memoria, en toda la extensión de la unidad. Medido en IOPS (Input/Output Operations Per Second) - (Operaciones de Entrada/Salida por segundo)

Escritura aleatoria (alcance 100%)

Velocidad en la que la unidad de estado sólido puede registrar datos en ubicaciones arbitrarias en la memoria, en toda la extensión de la unidad. Medido en IOPS (Input/Output Operations Per Second) - (Operaciones de Entrada/Salida por segundo)

Latencia - Lectura

Latencia de Lectura indica el tiempo transcurrido para ejecutar una tarea de recuperación de datos. Medido en microsegundos.

Latencia - Escritura

Latencia de Escritura indica el tiempo transcurrido para ejecutar una tarea de registro de datos. Medido en microsegundos.

Alimentación - Activa

La potencia activa indica el consumo de energía típico del dispositivo mientras está operativo.

Alimentación - Inactiva

La potencia en espera indica el consumo de energía típico del dispositivo mientras está en espera.

Clasificación de resistencia (nº de escrituras durante la vida útil)

La clasificación de la resistencia indica los ciclos de almacenamiento esperados durante el ciclo de vida del dispositivo.

Formato

El factor de forma indica el tamaño y forma estándar de la industria para el dispositivo.

Interfaz

La interfaz indica el método de comunicación del bus estándar que utiliza el dispositivo.

Mejoras en la protección contra pérdida de datos y el consumo de energía

La Protección de datos mejorada por pérdida de energía prepara la unidad de estado sólido para la pérdida de energía inesperada del sistema reduciendo los datos en transición en búfer temporales, y utiliza la capacidad de protección de pérdida de energía integrada para ofrecer suficiente energía para el firmware SSD para mover datos desde el búfer de transferencia y otros búfer temporales en la NAND, y de esa forma proteger los datos de sistema y del usuario.

High Endurance Technology (HET)

La Tecnología de alta resistencia (HET) en unidades de estado sólido combina las mejoras de silicio de memoria flash NAND Intel® y las técnicas de administración de sistema para ayudar a ampliar la resistencia de una unidad de estado sólido. Resistencia se define como la cantidad de datos que se puede copiar en una unidad de estado sólido durante su vida útil.

Supervisión y registro de temperatura

El monitoreo y registro de temperatura usa un sensor de temperatura interna para controlar y registrar el flujo de aire y la temperatura interna del dispositivo. Puede acceder a los resultados registrados con el comando SMART.

Protección de datos de extremo a extremo

La protección de datos de extremo a extremo garantiza la integridad de los datos almacenados en su traslado desde la computadora a la unidad de estado sólido y en su regreso.