Unidade de estado sólido Intel® série DC P3700

Unidade de estado sólido Intel® série DC P3700

1,6TB, PCIe de 2,5 pol, 3.0 PCIe, 20 nm, MLC

Especificações

Especificações de desempenho

Confiabilidade

Informações complementares

Especificações de encapsulamento

Imagens do produto

Imagens do produto

Produtos compatíveis

Família de sistemas para servidor Intel® R2000WT

Compare
All | None

Família de módulos de computação Intel® HNS2600TP

Product Name Data de introdução Status Fator de forma da placa Fator de forma do gabinete Soquete Sort Order Compare
All | None
Intel® Compute Module HNS2600TP24R Q4'15 Discontinued Custom 6.8" x 18.9" Rack Socket R3 50761
Intel® Compute Module HNS2600TP24SR Q4'15 Discontinued Custom 6.8" x 18.9" Rack Socket R3 50764
Intel® Compute Module HNS2600TP24STR Q4'16 Discontinued Custom 6.8" x 18.9" Rack Socket R3 50767

Família de placas para servidor Intel® S2600CW

Compare
All | None

Família de placas para servidor Intel® S2600WT

Compare
All | None

Drivers e software

Drivers e software mais recentes

Downloads disponíveis:
tudo

Nome

Download Intel® Memory and Storage Tool CLI (interface de linha de comando)

Download Intel® Memory and Storage Tool (GUI)

Download Drivers NVMe* do Microsoft Windows* para SSDs Intel® Datacenter

Download Intel® Rapid Storage Technology de instalação de driver com memória Intel® Optane™ de memória (plataformas da 10a e 11a Geração)

Download Intel® Rapid Storage Technology de instalação de driver com memória Intel® Optane™ de memória (plataformas da 8a e 9a Geração)

Download Intel® dispositivo de gerenciamento de volume (Intel® VMD) ESXi ferramentas

Documentação técnica

Data de introdução

Data em que o produto foi introduzido pela primeira vez.

Leitura sequencial (até)

Velocidade com a qual o aparelho é capaz de carregar dados que formam um bloco de dados contíguo e ordenado. Medido em MB/s (MegaBytes por segundo)

Gravação sequencial (até)

Velocidade com a qual o aparelho é capaz de carregar dados que formam um bloco de dados contíguo e ordenado. Medido em MB/s (MegaBytes por segundo)

Energia - ativa

Potência ativa indica o consumo típico de energia do aparelho quando ele está operando.

Energia - ociosa

Potência ativa indica o consumo típico de energia do aparelho quando ele está operando.

Vibração - operacional

Vibração em estado ocioso indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir à vibração relatada no estado ocioso e permanecer funcional. Medida em RMS (valor quadrático médio) da força-G

Vibração - não-operacional

Vibração em estado ocioso indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir à vibração relatada no estado ocioso e permanecer funcional. Medida em RMS (valor quadrático médio) da força-G

Choque (operacional e não operacional)

Choque indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir ao choque relatado nos estados operante e ocioso e permanecer funcional. Medido em força-G (Máx.)

Classificação de resistência (gravações no período de vida)

Taxa de resistência indica os ciclos previstos de armazenamentos de dados durante a vida útil do aparelho.

Tempo médio entre falhas (MTBF)

MTBF (Tempo médio de horas entre falhas) indica o tempo de operação decorrido esperado entre as falhas. Medido em horas.

Taxa de erro de bits incorrigíveis (UBER)

UBER (Taxa de erro de bit incorrigível) indica o número de erros de bit incorrigíveis dividido pelo número total de bits transferidos durante um intervalo de tempo testado.

Fator de forma

Formato indica o tamanho e a forma padrão do setor do aparelho.

Interface

Interface indica o método de comunicação de barramento padrão do setor empregado pelo aparelho.

Proteção avançada de dados contra a perda de energia

A Proteção de Dados contra Queda de Energia prepara a unidade de estado sólido para queda de energia de sistema inesperada ao minimizar os dados em transição em buffers temporários, e usa capacitância de proteção contra queda de energia incorporada para fornecer energia suficiente para o firmware de unidade de estado sólido para transferir dados do buffer de transferência e outros buffers temporários ao NAND, protegendo o sistema e os dados do usuário.

High Endurance Technology (HET — Tecnologia de Alta Resistência)

High Endurance Technology (HET) em unidades de estado sólido combina aprimoramentos de silício de memória flash NAND Intel® e técnicas de gerenciamento de sistema unidade de estado sólido para ajudar a ampliar a resistência da unidade de estado sólido. Resistência é definida como a quantidade de dados que podem ser gravados em uma unidade de estado sólido durante seu período de vida.

Monitoração e registro em log da temperatura

Monitoração e registro em log da temperatura usa um sensor de temperatura interno para monitorar e registrar em log o fluxo de ar e a temperatura interna do aparelho. Os resultados registrados em log podem ser acessados usando o comando SMART.

Proteção de dados de End-to-End

A proteção de dados End-to-End garante a integridade de dados armazenados de computadores a aparelhos unidade de estado sólido.