Memória Intel® Optane™ H10 com armazenamento de estado sólido

Memória Intel® Optane™ H10 com armazenamento de estado sólido

Memória Intel® Optane™ 32 GB + SSD Intel® QLC 3D NAND de 512 GB M.2 80 mm PCIe 3.0
0 Retailers X

Especificações

Confiabilidade

Informações complementares

  • Ficha técnica Ver agora
  • Descrição resumida do produto Ver agora
  • URL de informações adicionais Ver agora
  • Descrição Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

Especificações de encapsulamento

Pedidos e conformidade

Informações sobre especificações e pedidos

Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage (32GB + 512GB, M.2 80mm PCIe 3.0, 3D XPoint™, QLC) Generic Single Pack

  • MM# 984683
  • Código de pedidos HBRPEKNX0202A01

Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage (32GB + 512GB, M.2 80mm PCIe 3.0, 3D XPoint™, QLC) Generic 100 Pack

  • MM# 999FD8
  • Código de pedidos HBRPEKNX0202A

Informações de conformidade da marca

  • ECCN 5A992C
  • CCATS G158570
  • US HTS 8471706000

INFORMAÇÕES SOBRE PCN/MDDS

Downloads e software

Data de introdução

Data em que o produto foi introduzido pela primeira vez.

Condições de uso

Condições de uso são as condições operacionais e ambientais derivadas do contexto de uso do sistema.
Para obter informações sobre as condições de uso de um SKU específico, consulte Relatórios de PRQ.
Para ver as condições de uso atuais, consulte Intel UC (site CNDA)*.

Leitura sequencial (até)

Velocidade com a qual o aparelho é capaz de carregar dados que formam um bloco de dados contíguo e ordenado. Medido em MB/s (MegaBytes por segundo)

Gravação sequencial (até)

Velocidade com a qual o aparelho é capaz de carregar dados que formam um bloco de dados contíguo e ordenado. Medido em MB/s (MegaBytes por segundo)

Leitura aleatória (alcance de 8 GB) (até)

Velocidade com a qual a unidade de estado sólido é capaz de carregar dados de locais arbitrários na memória, dentro do intervalo de 8GB do endereçamento de bloco lógico (LBA) na unidade. Medida em IOPS (Operações de Entrada/Saída por Segundo)

Gravação aleatória (alcance de 8 GB) (até)

Velocidade com a qual unidade de estado sólido é capaz de carregar dados de locais arbitrários na memória, dentro do intervalo de 8GB do endereçamento de bloco lógico (LBA) na unidade. Medida em IOPS (Operações de Entrada/Saída por Segundo)

Latência - Leitura

Latência de leitura indica o tempo decorrido para executar uma tarefa de carregamento de dados. Medida em microssegundos.

Latência - gravação

Latência de leitura indica o tempo decorrido para executar uma tarefa de carregamento de dados. Medida em microssegundos.

Energia - ativa

Potência ativa indica o consumo típico de energia do aparelho quando ele está operando.

Energia - ociosa

Potência ativa indica o consumo típico de energia do aparelho quando ele está operando.

Vibração - operacional

Vibração em estado ocioso indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir à vibração relatada no estado ocioso e permanecer funcional. Medida em RMS (valor quadrático médio) da força-G

Vibração - não-operacional

Vibração em estado ocioso indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir à vibração relatada no estado ocioso e permanecer funcional. Medida em RMS (valor quadrático médio) da força-G

Choque (operacional e não operacional)

Choque indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir ao choque relatado nos estados operante e ocioso e permanecer funcional. Medido em força-G (Máx.)

Classificação de resistência (gravações no período de vida)

Taxa de resistência indica os ciclos previstos de armazenamentos de dados durante a vida útil do aparelho.

Tempo médio entre falhas (MTBF)

MTBF (Tempo médio de horas entre falhas) indica o tempo de operação decorrido esperado entre as falhas. Medido em horas.

Taxa de erro de bits incorrigíveis (UBER)

UBER (Taxa de erro de bit incorrigível) indica o número de erros de bit incorrigíveis dividido pelo número total de bits transferidos durante um intervalo de tempo testado.

Fator de forma

Formato indica o tamanho e a forma padrão do setor do aparelho.

Interface

Interface indica o método de comunicação de barramento padrão do setor empregado pelo aparelho.

Proteção avançada de dados contra a perda de energia

A Proteção de Dados contra Queda de Energia prepara a unidade de estado sólido para queda de energia de sistema inesperada ao minimizar os dados em transição em buffers temporários, e usa capacitância de proteção contra queda de energia incorporada para fornecer energia suficiente para o firmware de unidade de estado sólido para transferir dados do buffer de transferência e outros buffers temporários ao NAND, protegendo o sistema e os dados do usuário.

Monitoração e registro em log da temperatura

Monitoração e registro em log da temperatura usa um sensor de temperatura interno para monitorar e registrar em log o fluxo de ar e a temperatura interna do aparelho. Os resultados registrados em log podem ser acessados usando o comando SMART.

Proteção de dados de End-to-End

A proteção de dados End-to-End garante a integridade de dados armazenados de computadores a aparelhos unidade de estado sólido.

Intel® Rapid Start Technology

A Intel® Rapid Start Technology permite que o sistema retome rapidamente do estado de hibernação.