SSD Intel® DC série P4510

Data de introdução

Data em que o produto foi introduzido pela primeira vez.

Leitura sequencial (até)

Velocidade com a qual o aparelho é capaz de carregar dados que formam um bloco de dados contíguo e ordenado. Medido em MB/s (MegaBytes por segundo)

Gravação sequencial (até)

Velocidade com a qual o aparelho é capaz de carregar dados que formam um bloco de dados contíguo e ordenado. Medido em MB/s (MegaBytes por segundo)

Leitura aleatória (Alcance de 100%)

Velocidade com a qual a unidade de estado sólido é capaz de carregar dados de locais arbitrários na memória, em toda a extensão da unidade. Medida em IOPS (Operações de Entrada/Saída por Segundo)

Gravação aleatória (Alcance de 100%)

Velocidade com a qual a unidade de estado sólido é capaz de carregar dados de locais arbitrários na memória, em toda a extensão da unidade. Medida em IOPS (Operações de Entrada/Saída por Segundo)

Latência - Leitura

Latência de leitura indica o tempo decorrido para executar uma tarefa de carregamento de dados. Medida em microssegundos.

Latência - gravação

Latência de leitura indica o tempo decorrido para executar uma tarefa de carregamento de dados. Medida em microssegundos.

Energia - ativa

Potência ativa indica o consumo típico de energia do aparelho quando ele está operando.

Energia - ociosa

Potência ativa indica o consumo típico de energia do aparelho quando ele está operando.

Vibração - operacional

Vibração em estado ocioso indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir à vibração relatada no estado ocioso e permanecer funcional. Medida em RMS (valor quadrático médio) da força-G

Vibração - não-operacional

Vibração em estado ocioso indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir à vibração relatada no estado ocioso e permanecer funcional. Medida em RMS (valor quadrático médio) da força-G

Choque (operacional e não operacional)

Choque indica a capacidade testada da unidade de estado sólido de resistir ao choque relatado nos estados operante e ocioso e permanecer funcional. Medido em força-G (Máx.)

Classificação de resistência (gravações no período de vida)

Taxa de resistência indica os ciclos previstos de armazenamentos de dados durante a vida útil do aparelho.

Tempo médio entre falhas (MTBF)

MTBF (Tempo médio de horas entre falhas) indica o tempo de operação decorrido esperado entre as falhas. Medido em horas.

Taxa de erro de bits incorrigíveis (UBER)

UBER (Taxa de erro de bit incorrigível) indica o número de erros de bit incorrigíveis dividido pelo número total de bits transferidos durante um intervalo de tempo testado.

Fator de forma

Formato indica o tamanho e a forma padrão do setor do aparelho.

Interface

Interface indica o método de comunicação de barramento padrão do setor empregado pelo aparelho.

Proteção avançada de dados contra a perda de energia

A Proteção de Dados contra Queda de Energia prepara a unidade de estado sólido para queda de energia de sistema inesperada ao minimizar os dados em transição em buffers temporários, e usa capacitância de proteção contra queda de energia incorporada para fornecer energia suficiente para o firmware de unidade de estado sólido para transferir dados do buffer de transferência e outros buffers temporários ao NAND, protegendo o sistema e os dados do usuário.

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Criptografia de hardware

A criptografia de hardware é realizada pela criptografia de dados no nível da unidade. Isso é usado para garantir que os dados armazenados na unidade estejam seguros contra invasões indesejadas.

Monitoração e registro em log da temperatura

Monitoração e registro em log da temperatura usa um sensor de temperatura interno para monitorar e registrar em log o fluxo de ar e a temperatura interna do aparelho. Os resultados registrados em log podem ser acessados usando o comando SMART.

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Proteção de dados de End-to-End

A proteção de dados End-to-End garante a integridade de dados armazenados de computadores a aparelhos unidade de estado sólido.

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